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产(chǎn)品(pǐn)中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 700 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 900 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 1100 |
最大漏(lòu)极电流Id(on)(A): | 5 |
通道极(jí)性: | N沟道 |
封装(zhuāng)/温度(℃): | TO-252-2L(DPAK)/-55~125 |
描(miáo)述: | 700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超(chāo)级结技术的功率MOSFET |
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