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      漏源电压BV DSS (V)(Min.):

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      900

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      1100

      最大漏(lòu)极电流Id(on)(A):

      5

      通道极(jí)性:

      N沟道

      封装(zhuāng)/温度(℃):

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描(miáo)述:

      700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超(chāo)级结技术的功率MOSFET


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